本周四，芯片新突韩国SK海力士宣布，破S品量已开始量产全球首款12层HBM3E产品，力士容量为36GB，全球这是首个实现迄今为止现有HBM的最大容量。

SK海力士声称，层HE产产12层HBM3E产品在速度、芯片新突容量和稳定性方面均达到全球最高标准。破S品量该公司计划在年内向客户提供量产产品。力士

受此消息影响，首个实现SK海力士股价周四在韩股市场上大涨。层HE产产截至发稿，芯片新突该公司股价日内涨幅已达到8.89%。破S品量

SK海力士率先实现12层HBM量产

今年3月，力士SK海力士向客户交付8层HBM3E产品，创下业界首位。时隔6个月后，SK海力士再次业界首个实现12层HBM3E芯片量产，再次证明其技术优势。

SK海力士是自2013年推出世界首款HBM以来，开发并供应从第一代(HBM1)到第五代(HBM3E)全部HBM系列的唯一企业。

如今，SK海力士实现在业界率先量产12层HBM3E后，将满足人工智能企业日益增长的需求，并继续保持其在人工智能存储器市场的领先地位。

SK海力士总裁 Justin Kim表示：“SK海力士再次突破了AI内存领域的技术限制，展示了我们在AI内存领域的行业领先地位…为了克服人工智能时代的挑战，我们将稳步准备下一代内存产品，继续保持全球第一的地位。”

速度、容量、稳定性均达最高标准

据该公司介绍，12层HBM3E产品在速度、容量、稳定性等人工智能存储器所必需的所有领域都符合世界最高标准。

SK海力士将内存运行速度提高到9.6 Gbps，这是目前可用的最高内存速度。如果大型语言模型Llama 3 70b由单个搭载4个HBM3E产品的GPU驱动，每秒可读取总计700亿个参数35次。

SK海力士的12层产品和此前同等厚度的8层产品相比，容量增加了50%。为了实现这一目标，该公司将每个DRAM芯片比以前薄40%，并使用TSV技术垂直堆叠。

该公司还通过应用其核心技术Advanced MR-MUF工艺，解决了由于将更薄的芯片堆叠得更高而产生的结构问题。这使得新一代产品散热性能比上一代产品高10%，并通过增强翘曲控制来确保产品的稳定性和可靠性。